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NTHD4N02F
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4.5
Q T
20
4
16
300
3.5
200
C RSS
3
2.5
12
100
C OSS
2
1.5
1
Q GS
Q GD
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
8
4
0.5
0
0
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
0.5
1 1.5 2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
2.5
3
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
100
7
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 16 V
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V
6
5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(off)
4
3
1
t f
t d(on)
2
1
0
1
10
100
0.3
0.45
0.6
0.75
0.9
1.05
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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